رفتن به مطلب

کاربران گرامی، از ارسال مطالبی که با موضوع انجمن همخوانی ندارند بپرهیزید، در صورت مشاهده با کاربر متخلف برخورد خواهد شد.

جستجو در تالارهای گفتگو

در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'حافظه رم'.



تنظیمات بیشتر جستجو

  • جستجو بر اساس برچسب

    برچسب ها را با , از یکدیگر جدا نمایید.
  • جستجو بر اساس نویسنده

نوع محتوا


تالارهای گفتگو

  • قوانین و اطلاعیه ها
    • اخبار و قوانین آل بازار
  • سخت افزار
    • تبلت
    • لپ تاپ و نوت بوک
    • پردازنده
    • مادربورد
    • حافظه رم
    • کارت گرافیک
    • ذخیره کننده ها
    • کیس و پاور
    • فن و خنک کننده ها
    • مانیتور
    • شبکه
    • لوازم جانبی کامپیوتر
  • مشاوره سخت افزاری
    • سوالات و مشکلات سخت افزاری
    • راهنمای خرید
  • اورکلاک
    • آموزش اورکلاک
    • اورکلاک پردازنده
    • اورکلاک کارت گرافیک
    • اورکلاک حافظه رم
    • نرم افزار اورکلاک
  • موبایل، تبلت و اسمارت فون ها
    • iOS
    • Android
    • Windows Phone
  • طراحی وب
    • طراحی وب سایت
    • بهینه سازی وب سایت Seo
    • معرفی وب سایت، نرم افزار و خدمات اینترنتی
  • فناوری و تکنولوژی
    • اخبار فناوری و تکنولوژی
    • محصولات فناوری
  • بازی
    • معرفی و نقد بازی ها
    • کنسول های بازی
    • دانلود بازی
  • نرم افزار
    • ویندوز
    • مکینتاش
    • لینوکس
  • گرافیک و انیمیشن
    • آموزش ها و مقالات
    • فتوشاپ
    • انیمیشن و فلش
  • عمومی
    • گفتگوی آزاد
    • خاطرات
    • سرگرمی
    • نرخ ارز
  • بازارچه
    • بازارچه کامپیوتر
    • بازارچه موبایل و سیم کارت
    • بازارچه صوتی تصویری
    • بازارچه لوازم متفرقه

جستجو در ...

جستجو به صورت ...


تاریخ ایجاد

  • شروع

    پایان


آخرین به روز رسانی

  • شروع

    پایان


فیلتر بر اساس تعداد ...

تاریخ عضویت

  • شروع

    پایان


گروه


AIM


MSN


Website URL


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


محل سکونت :


علایق :

1 نتیجه پیدا شد

  1. Mehrsam_10

    حافظه رم چیست؟

    حافظه ی رم (Ram) چیست؟ تعریف حافظه ی رم حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترين نوع حافظه در دنيای کامپيوتر است. روش دستيابی به اين نوع از حافظه ها تصادفی است. چون می توان به هر سلول حافظه مستقيما" دستيابی پيدا کرد. در مقابل حافظه های RAM، حافظه های (SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخيره و صرفا" امکان دستيابی به آنها بصورت ترتيبی وجود خواهد داشت. (نظير نوار کاست) در صورتي که داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر يک از سلول های حافظه به ترتيب بررسی شده تا داده مورد نظر پيدا گردد. حافظه های SAM در موارديکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتيبی باشند مفيد خواهند بود. (نظير حافظه موجود بر روی کارت های گرافيک). داده های ذخيره شده در حافظه RAM با هر اولويت دلخواه قابل دستيابی است. درمورد حافظه ها مباحث مفصلی در سایت میکرورایانه انجام شده است به فهرست مقالات سایت میکرورایانه مراجعه کنید. مبانی حافظه های RAM حافظه RAM، يک تراشه مدار مجتمع (IC) بوده که از ميليون ها ترانزيستور و خازن تشکيل شده است. در اغلب حافظه ها با استفاده و به کارگيری يک خازن و يک ترانزيستور می توان يک سلول را ايجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری يک بيت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بيت را که يک و يا صفر است، در خود نگهداری خواهد کرد. عملکرد ترانزيستور مشابه يک سوئيچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخيره شده در خازن و يا تغيير وضعيت مربوط به آن، فراهم می نمايد. خازن مشابه يک ظرف (سطل) بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است. بمنظور ذخيره سازی مقدار "يک" در حافظه، ظرف فوق می بايست از الکترون ها پر گردد. برای ذخيره سازی مقدار صفر، می بايست ظرف فوق خالی گردد. مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است (وجود سوراخ در ظرف) بدين ترتيب پس از گذشت چندين ميلی ثانيه يک ظرف مملو از الکترون تخليه می گردد. بنابراين بمنظور اينکه حافظه بصورت پويا اطلاعات خود را نگهداری نمايد، می بايست پردازنده و يا "کنترل کننده حافظه" قبل از تخليه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار "يک" باشند. بدين منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنويسی می نمايد. عمليات فوق (Refresh )، هزاران مرتبه در يک ثانيه تکرار خواهد شد. علت نامگذاری DRAM بدين دليل است که اين نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پويا خواهند بود. فرآيند تکراری " بازخوانی / بازنويسی اطلاعات" در اين نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف شده و سرعت حافظه کند گردد. سلول های حافظه بر روی يک تراشه سيليکون و بصورت آرايه ای مشتمل از ستون ها (خطوط بيت) و سطرها (خطوط کلمات) تشکيل می گردند. نقطه تلاقی يک سطر و ستون بيانگر آدرس سلول حافظه است . حافظه های DRAM با ارسال يک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزيستور در هر بيت ستون، خواهند شد. در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعيتی خواهند شد که خازن می بايست به آن وضعيت تبديل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گيری می نمايد. در صورتيکه سطح فوق بيش از پنجاه درصد باشد مقدار "يک" خوانده شده و در غيراينصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عمليات فوق بسيار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانيه (يک ميلياردم ثانيه) اندازه گيری می گردد. تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانيه است، 70 نانو ثانيه طول خواهد کشيد تا عمليات خواندن و بازنويسی هر سلول انجام گیرد.
×